寬頻通訊成為近年來(lái)行動(dòng)設(shè)備的必備技術(shù)，而隨著應(yīng)用領(lǐng)域的漸深漸廣，目前的4G通訊標(biāo)準(zhǔn)將逐漸不敷使用，在市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)下，5G標(biāo)準(zhǔn)的制定已積極展開(kāi)，預(yù)計(jì)2020年，市場(chǎng)將出現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用，高速傳輸對(duì)行動(dòng)設(shè)備帶來(lái)嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，新世代的行動(dòng)設(shè)備需要滿足更高的溫度、功率、電壓、效能與抗輻射需求，就目前技術(shù)來(lái)看，具備寬能帶、高飽和速度、高導(dǎo)熱性和高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等特色的化合物半導(dǎo)體碳化矽 (SiC)、氮化?? (GaN) 無(wú)疑是市場(chǎng)上高溫、高頻及高功率元件材料的最隹解答，根據(jù)Yole Development的研究指出，2013年至 2022年，SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)年均復(fù)合將達(dá) 38%，而 2016 年至 2020 年 GaN 射頻元件市場(chǎng)復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到4%，因此，如何積極因應(yīng)此一趨勢(shì)，善用本身優(yōu)勢(shì)布局市場(chǎng)，將是臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這幾年的重要課題。

持續(xù)精進(jìn)的化合物半導(dǎo)體技術(shù)
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