制程余裕較小的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)需要改進(jìn)微影疊對(duì)的管制。基于光學(xué)量測(cè)目標(biāo)的研發(fā)檢測(cè)（DI）時(shí)的疊對(duì)管制在半導(dǎo)體制造中已經(jīng)頗具規(guī)模。在目標(biāo)設(shè)計(jì)和量測(cè)技術(shù)方面的進(jìn)展，使疊對(duì)的精確度和準(zhǔn)確度都得到了大幅提升。表示晶片內(nèi)裝置上蝕刻疊對(duì)的一種方法就是在最終檢測(cè)（FI）時(shí)，使用掃描電子顯微鏡（SEM）進(jìn)行測(cè)量。這種方法的劣勢(shì)在于無(wú)法返工和疊對(duì)的層覆蓋有限，這是由于缺乏透明及經(jīng)營(yíng)成本（CoO）較高。

本報(bào)告研究了一種混合方法，將不頻繁測(cè)量的 DI/FI 偏差進(jìn)行表征，且把其結(jié)果用于補(bǔ)償頻繁測(cè)量的 DI 疊對(duì)結(jié)果。這個(gè)偏差表征并不是頻繁進(jìn)行，可基于時(shí)間，或者由轉(zhuǎn)變點(diǎn)觸發(fā)。在按元件和按層的基礎(chǔ)上，將DI 的光學(xué)目標(biāo)疊對(duì)與 FI 的 SEM 的元件上的疊對(duì)進(jìn)行比較，對(duì)兩者的偏差表征結(jié)果進(jìn)行驗(yàn)證并跟蹤，用于補(bǔ)償 DI APC 控制器。本文介紹 DI/FI 偏差表征結(jié)果和變化來(lái)源，并介紹對(duì)DI調(diào)整饋送 APC 系統(tǒng)的影響。本文回顧該方法在大批量制造（HVM）晶圓廠(chǎng)的實(shí)施詳情，并在文章最后將討論該研究的未來(lái)方向。
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