目前在提升再生能源裝置容量和能源效率，皆有高度關(guān)聯(lián)性的關(guān)鍵技術(shù)，莫過於利用化合物半導(dǎo)體來制造高效能功率半導(dǎo)體元件，以承受高電壓、高溫沖擊。臺灣廠商還具備過去多年來於矽基半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)累積的基礎(chǔ)，且有如工研院等法人單位輔導(dǎo)，正積極投入建立材料開發(fā)、雷射輔助加工制程等測試驗證平臺和服務(wù)，將加速產(chǎn)業(yè)聚落成型。

尤其是伴隨著交通運(yùn)具電動化與提升能源效率等需求，包括：碳化矽（SiC）、氮化??（GaN）、InP、Ga2O3、AIN等化合物半導(dǎo)體，因為比起傳統(tǒng)矽基材料（Si-based）具備更寬裕的能隙特性，用來制造高效能功率半導(dǎo)體晶片元件，將可有效減省約50%電能轉(zhuǎn)換損耗、20%電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)成本，所以極適合提供高功率（>400V）、高電能轉(zhuǎn)換效率應(yīng)用，滿足耐高壓（>800V）、高溫及高頻需求。

工研院在2023年舉行的「南臺灣策略論壇」也指出，如今化合物半導(dǎo)體已逐漸導(dǎo)入電動車及充電樁、再生能源發(fā)電與傳輸，甚至是低軌衛(wèi)星、5G/6G高頻通訊、人工智慧（AI）基礎(chǔ)裝置、工業(yè)設(shè)備等低碳生活模式，減省充電時間和電池成本，而極富有戰(zhàn)略意義。依工研院南分院預(yù)估其中SiC晶圓市場快速成長（CAGR~15%），2028年全球規(guī)模將達(dá)到17億美元。
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