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    馬達變頻器內(nèi)的關(guān)鍵元件: 功率半導(dǎo)體
    [作者 Michael Ebli]   2021年04月20日 星期二 瀏覽人次: [11549]

    全球有約 30% 的發(fā)電量用於驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的馬達,而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預(yù)期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高,未來提升驅(qū)動馬達用電效率的需求將會越來越顯著。


    電動馬達型塑了世界的面貌,且將繼續(xù)從各個層面改變世界,包括從可以自動執(zhí)行簡單家庭功能的小型馬達,到名副其實能搬動整座山的重型馬達都有。目前使用中的電動馬達的數(shù)量和種類極其驚人,要知道電動馬達及其控制系統(tǒng)幾乎佔了全球一半的耗電量,這可一點都不足為奇。


    進一步細看,全球有約 30% 的發(fā)電量用於驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的馬達 [1]。絕對而言,全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預(yù)期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高,從環(huán)境和財務(wù)這兩個方面來看,提升驅(qū)動馬達用電效率的需求只會越來越顯著。


    低電壓驅(qū)動器──需求和要求

    從市場(標準型和精簡型) 的低電壓區(qū)隔來看,其應(yīng)用可分為輕型或重型兩種。以驅(qū)動器而言,其主要差異在於,諸如幫浦和風扇等應(yīng)用於短暫的加速期間,輕型馬達和控制系統(tǒng)的變頻器輸出電流通常必須維持在 110% 的超載(圖 1)。重型馬達和控制系統(tǒng)的設(shè)計,一般則需要能承受高達變頻器額定電流150% 的過載。較高的過載電流大多是為了因應(yīng)在其餘事物中傳送帶加速階段的需求。



    圖1 : 過載能力係指在110%(輕型/正常負載)至150%(重型負載)加速運作時電流高於額定值的期間。
    圖1 : 過載能力係指在110%(輕型/正常負載)至150%(重型負載)加速運作時電流高於額定值的期間。

    適用於驅(qū)動器的 IGBT7

    馬達驅(qū)動系統(tǒng)有著獨特的特定要求,需要採用全新的IGBT設(shè)計方法。採用正確的IGBT技術(shù),才可能打造出符合這些需求的模組。因此英飛凌採用了最新一代 IGBT技術(shù):IGBT7。IGBT7在晶片層級使用了微圖案溝槽(MPT),其結(jié)構(gòu)明顯有助於降低正向電壓並提高漂移區(qū)的導(dǎo)電率。對於馬達驅(qū)動器等有著適中切換頻率的應(yīng)用,IGBT7 與前幾代產(chǎn)品相比,則能顯著降低損耗 [2]。


    IGBT7 比前一代產(chǎn)品(IGBT4)更出色的另一項優(yōu)點則是飛輪二極體,同樣針對驅(qū)動應(yīng)用進行了最佳化。此外,射極控制二極體 EC7 的正向壓降現(xiàn)在比EC4二極體的正向壓降少了100 mV,反向恢復(fù)柔軟度更為優(yōu)異。


    適用於伺服驅(qū)動器的 SiC MOSFET

    隨著各產(chǎn)業(yè)使用越來越多的自動化功能,對伺服馬達的需求也相應(yīng)提高。它們將精準的運動控制與高扭力相結(jié)合,非常適合用於自動化和機器人技術(shù)。


    英飛凌憑藉其在製造上的專業(yè)知識和長期以來的經(jīng)驗,開發(fā)了一種 SiC 溝槽技術(shù),此技術(shù)比IGBT具有更高的效能,且相當耐用,例如短路時間僅有2 μs [3] 或甚至3 μs [4]。英飛凌的CoolSiC? MOSFET同時也解決了SiC裝置固有的一些潛在問題,例如非預(yù)期的電容導(dǎo)通。此外,SiC MOSFET採用符合產(chǎn)業(yè)標準的 TO247-3 封裝,現(xiàn)在採用的 TO247-4 封裝甚至具有更優(yōu)異的開關(guān)效能。除了這些TO封裝,SiC MOSFET也提供Easy 1B和Easy 2B封裝。


    對比於相應(yīng)的IGBT替代選項,1200 V CoolSiC? MOSFET的開關(guān)損耗最高降低80%,且還有損耗不受溫度影響的附加優(yōu)勢。不過,如同IGBT7,也可以透過閘極電阻控制開關(guān)行為(dv/dt),帶來更出色的設(shè)計彈性。



    圖2 : SiC MOSFET可簡化馬達內(nèi)的變頻器整合 [5]
    圖2 : SiC MOSFET可簡化馬達內(nèi)的變頻器整合 [5]

    因此,採用CoolSiC? MOSFET 技術(shù)的驅(qū)動解決方案由於恢復(fù)、導(dǎo)通、關(guān)斷和導(dǎo)通損耗都更為降低,整體損耗可降低高達50%(假設(shè) dv/dt類似)。尤其在輕負載狀況下,CoolSiC? MOSFET 的傳導(dǎo)損耗也比 IGBT 更低。


    除了整體來說更高的效率和更低的損耗以外,SiC 技術(shù)還可以達到更高的開關(guān)頻率,對動態(tài)控制環(huán)境中的外部和整合伺服驅(qū)動器都有直接的效益。而這全都是得益於,在馬達負載不斷變化的狀況下,馬達電流的回應(yīng)速度更快所致。


    全面整合

    將整流器、斬波器和變頻器整合到單一模組,能在功率密度和切換效率上發(fā)揮優(yōu)勢,但馬達驅(qū)動器同時也需要封閉迴路系統(tǒng)才能正確有效地發(fā)揮作用。


    更具體而言,無論使用何種開關(guān)技術(shù),都必須要有適當?shù)拈l極驅(qū)動器解決方案。要透過閘極驅(qū)動器,才能將用於打開和關(guān)閉開關(guān)裝置的低電壓控制訊號轉(zhuǎn)換為開關(guān)本身所需要的高電壓驅(qū)動訊號。一般來說,控制訊號將來自主機處理器。但由於每種開關(guān)技術(shù)在輸入電容和驅(qū)動電位方面都有其獨特的特性,因此必須將其與適當?shù)拈l極驅(qū)動器相匹配。英飛凌為 Si MOSFET、Si IGBT、SiC MOSFET 和 GaN-HEMT 提供經(jīng)過最佳化的閘極驅(qū)動器。


    控制迴路中最後一個但同等重要的元件是感測器,感測器也為馬達和控制器之間提供部分的反饋,大多透過使用電流感測器來達成。英飛凌開發(fā)了一款霍爾效應(yīng)解決方案,能免去使用鐵磁集中器,讓設(shè)計變得更簡單且干擾更少,是全整合伺服馬達的理想選擇。


    XENSIV?系列電流感測器(例如 TLI4971)為差分型的霍爾電流感測器,可提供高磁場範圍和低偏移值。此外,這些裝置沒有磁滯現(xiàn)象,並具有良好的雜散場抗擾性。由於採用無核心概念,使其可達到小巧的尺寸,支援高整合度,加上具有超低功率損耗和功能性隔離,極其彈性可靠。


    參考資料


    [1] https://www.globalefficiencyintel.com/new-blog/2017/infographic-energy-industrial-motor-systems


    [2] Application Note “TRENCHSTOP? 1200 V IGBT7”, https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-AN_201814_Trenchstop_1200V_IGBT7-AN-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01656b173ddc3600


    [3] Datasheet FF45MR12W1M1_B11 Revision 2.2, 2020-03-27, https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-FF45MR12W1M1_B11-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301670c714a15315c


    [4] Datasheet IMW120R030M1H Revision 2.1, 2019-12-10, https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IMW120R030M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fde38b669a


    [5] H. Weng, et. al, “An integrated servo motor drive with self-cooling design by using SiC-MOSFET” Proc. PCIM Asia, 2020, in press


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