因AI人工智慧驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體需求，全球晶片微影技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商艾司摩爾（ASML）今（6）日於SEMICON Taiwan 分享新一代高數(shù)值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術(shù)，並表示將協(xié)助晶片製造商簡(jiǎn)化製造工序、提高產(chǎn)能，並降低每片晶圓生產(chǎn)的能耗。

ASML High NA EUV 產(chǎn)品管理副總裁 Greet Storms

基於全球半導(dǎo)體產(chǎn)值到2030年可望將達(dá)1兆美元，依SEMI預(yù)估AI驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)，將占5成以上。為了持續(xù)使晶片微縮成本更具效益，推動(dòng)摩爾定律的進(jìn)展。ASML今日也分享其最新一代 High NA EUV 微影技術(shù)。

透過(guò)採(cǎi)用最新光學(xué)元件，將數(shù)值孔徑（numerical aperture）從0.33提升至0.55，以提供更高成像解析度；臨界尺寸（critical dimension, CD）可達(dá)到8nm，讓晶片製造商可以在同樣單位面積的晶片上，實(shí)現(xiàn)較現(xiàn)今高出2.9倍的電晶體密度；且成像對(duì)比度較上一代0.33 NA EUV提高 40%，可大幅降低成像缺陷。

ASML High NA EUV產(chǎn)品管理副總裁Greet Storms也表示，作為半導(dǎo)體生態(tài)系的一員，ASML透過(guò)持續(xù)開(kāi)發(fā)最新微影技術(shù)，且與我們的合作夥伴不斷創(chuàng)新，幫助晶片製造商能夠以更具成本效益的方式量產(chǎn)尺寸更小、功能更強(qiáng)、更低功耗的晶片。包含透過(guò)導(dǎo)入High NA EUV，客戶將可減少量產(chǎn)邏輯和記憶體晶片的製造工序，進(jìn)而顯著降低製程缺陷、成本和生產(chǎn)週期。

Greet Storms說(shuō)：「High NA EUV（0.55 NA）將與現(xiàn)行的EUV（0.33 NA）在設(shè)計(jì)方面有通用性，可降低客戶的導(dǎo)入風(fēng)險(xiǎn)和研發(fā)成本?！鼓壳癏igh NA EUV微影系統(tǒng)已於去年底開(kāi)始陸續(xù)出貨，產(chǎn)能預(yù)計(jì)每小時(shí)可曝光超過(guò)185片晶圓，將支援2奈米以下邏輯晶片及具有相似電晶體密度的記憶體晶片量產(chǎn)。

此外，當(dāng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)透過(guò)生產(chǎn)更快、更強(qiáng)大、同時(shí)又節(jié)能且價(jià)格可負(fù)擔(dān)的晶片，實(shí)現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)的世界。卻也帶來(lái)相對(duì)應(yīng)的付出，例如能源消耗。ASML則不斷致力透過(guò)研發(fā)創(chuàng)新降低能源消耗，透過(guò)與客戶密切合作，在提高生產(chǎn)力的同時(shí)，減少製造每片晶圓所產(chǎn)生的能耗。根據(jù)ASML 2023年報(bào)，從2018~2023年，ASML EUV曝光每片晶圓的能耗減少了近40%；更希望到了2025年，再減少30~35%能耗。

為了讓晶片製造商用更具成本效益的方式生產(chǎn)尺寸更小、功能更強(qiáng)、更節(jié)能的晶片，ASML還提供全方位微影解決方案，包括微影系統(tǒng)和應(yīng)用產(chǎn)品，同時(shí)為先進(jìn)製程和成熟製程客戶提供具成本效益的解決方案來(lái)支援所有應(yīng)用。

依ASML預(yù)估，客戶若在先進(jìn)製程晶片製造中導(dǎo)入包括EUV和High NA EUV微影系統(tǒng)，將可簡(jiǎn)化製程工序、減少光罩?jǐn)?shù)量，提升產(chǎn)能和良率，進(jìn)而降低生產(chǎn)每片晶圓的用電量。估計(jì)到了2029年，使用ASML微影技術(shù)生產(chǎn)每一片晶圓使用的100度電，將為整體製程節(jié)省200度電。