7納米製程節(jié)點(diǎn)將是半導(dǎo)體廠推進(jìn)摩爾定律（Moore’s Law）的下一重要關(guān)卡。半導(dǎo)體進(jìn)入7納米節(jié)點(diǎn)後，製程將面臨更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)， 不僅要克服晶圓刻蝕方面、熱、靜電放電和電磁干擾等物理效應(yīng)，同時(shí)要讓信號通過狹小的線也需要更大的電力，這讓晶片設(shè)計(jì)，檢查和測試更難。

KLA-Tencor公司行銷長暨資深副總 Oreste Donzella

KLA-Tencor針對7奈米以下的邏輯和尖端記憶體設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)推出了五款顯影成型控制系統(tǒng)，以幫助晶片製造商實(shí)現(xiàn)多重曝光技術(shù)和EUV微影所需的嚴(yán)格製程公差。在IC製造廠內(nèi)，ATL疊對量測系統(tǒng)和SpectraFilm F1薄膜量測系統(tǒng)可以針對finFET、DRAM、3D NAND和其他複雜元件結(jié)構(gòu)的製造提供製程表徵分析和偏移監(jiān)控。 Teron 640e光罩檢測產(chǎn)品系列和LMS IPRO7光罩疊對位準(zhǔn)量測系統(tǒng)可以協(xié)助光罩廠開發(fā)和鑑定EUV和先進(jìn)的光學(xué)光罩。 5DAnalyzer X1高級資料分析系統(tǒng)提供開放架構(gòu)的基礎(chǔ)，以支持晶圓廠量身定制的分析和實(shí)時(shí)製程控制的應(yīng)用。這五款新系統(tǒng)拓展了KLA-Tencor的多元化量測、檢測和資料分析的系統(tǒng)組合，從而可以從根源上對製程變化進(jìn)行識別和糾正。

對於7奈米和5奈米設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)，晶片製造商在生產(chǎn)中找到疊對誤差，線寬尺寸不均和熱點(diǎn)（hotspot）的根本起因變得越來越困難。KLA-Tencor公司行銷長暨資深副總Oreste Donzella表示，除了曝光機(jī)的校正之外，客戶也在了解不同的光罩和晶圓製程步驟變化是如何影響顯影成型的。透過提供全製造廠範(fàn)圍的開放式量測和檢測資料，IC工程師可以對製程問題迅速定位，並且在其發(fā)生的位置直接進(jìn)行管理。我們的系統(tǒng)，例如今天推出的五款系統(tǒng)，讓客戶能夠降低由每個(gè)晶圓、光罩和製程步驟所導(dǎo)致的顯影成型誤差。