新思科技今日宣布針對臺積電7奈米製程技術，已成功完成DesignWare 基礎及介面PHY IP組合的投片。與16FF+製程相比，臺積電7奈米製程能讓設計人員降低功耗達60%或提升35%的效能。藉由提供針對臺積電最新7奈米製程的IP組合，新思科技協助設計人員達到行動、車用及高效能運算應用在功耗及效能上的要求。
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| 用於臺積公司7奈米製程技術的DesignWare 基礎及介面IP能加速行動、車用及高效能運算SoC的上市時程。 |
DesignWare 基礎及介面PHY IP組合的投片，其中包括邏輯庫、嵌入式記憶體、嵌入式測試及修復、 USB 3.1/2.0、 USB-C 3.1/DisplayPort 1.4、DDR4/3、 MIPI D-PHY、 PCI Express 4.0/3.1、乙太網路 及SATA 6G。其他DesignWare IP，包括LPDDR4x、HBM2 和MIPI M-PHY，預計於2017年完成投片。
臺積電設計基礎架構行銷事業部資深協理Suk Lee表示，過去十多年來，新思科技一直與臺積電保持密切合作，針對臺積電不同階段製程開發出高品質IP。針對臺積電7奈米製程，新思科技成功完成DesignWare 基礎及介面IP組合的投片，顯示其在IP領域的領導地位，新思科技所開發的IP能協助雙方客戶透過臺積電製程技術，達到在功耗、效能和晶片面積等方面的提升。
而新思科技IP暨原型建造行銷副總裁John Koeter也指出，身為實體IP廠商，新思科技成功地在FinFET製程完成超過100次投片。新思科技致力於投資開發應用於最先進製程的IP，協助客戶實現必要功能並設計出具市場區隔的SoC。針對臺積電7奈米製程，新思科技成功完成DesignWare 基礎及介面IP組合的投片，讓設計人員有信心在整合IP與SoC時能大幅降低風險，並加速專案時程。
