國研院半導體中心今（20）日也宣佈與臺積電合作開發的「選擇器元件與自旋轉移力矩式磁性記憶體整合」（Selector and STT-MRAM Integration），於2023年12月電子元件會議IEDM（International Electron Devices Meeting）中發表，並獲選為Highlight Paper，成為全世界極少數成功開發出高密度、高容量的獨立式STT-MRAM製作技術團隊。

國研院半導體中心今（20）日也宣佈與臺積電合作開發「選擇器元件與自旋轉移力矩式磁性記憶體整合」，已成為全世界極少數成功開發出高密度、高容量的獨立式STT-MRAM製作技術團隊。

由於STT-MRAM具備高速度、高可靠度、小體積、省電等優點，十分適合應用於雲端運算與物聯網上進行大量的資料儲存，同時可提升人工智慧運算的學習效率與準確性，為國際半導體產學研重點發展領域。

國研院半導體中心則長期透過主導或協助發表國際重點領域的指標性會議論文，與國際發展趨勢接軌；並將論文發表的關鍵半導體技術轉化，以協助臺灣產學研界建構碩博士級尖端研發服務與人才培育的服務平臺，投入次世代記憶體晶片或新一代人工智慧晶片等應用驗證。

國研院半導體中心主任侯拓宏表示，臺灣作為全球半導體晶片製造中心，須及早儲備豐沛的下世代技術開發人才庫，成為半導體產業鏈維持競爭力與價值再升級的關鍵。半導體中心更是相關領域的高階碩博士研究人力培育搖籃。

透過長年建立的產學合作機制及訓練服務經驗，接軌業界實務研發需求，建立小型多樣化的類晶圓製作到電路的產品雛形驗證平臺，並藉此訓練培育實作高階研究人力。每年估計可提供50餘所大學院校、超過500個教授研究團隊的2,000位碩博士常駐研究與訓練，讓臺灣養成的高階人才能更進一步貼近產業發展需求。

臺積電作為全世界的積體電路製造龍頭，亦持續投入產學合作，深耕臺灣半導體人才培育。本次與國研院半導體中心合作發表國際指標性論文，除證明臺灣研究於相關領域已躋身國際領先團隊外，也期望透過半導體中心培育人才的機制，協助臺灣高階半導體人才與未來主流技術接軌，深化半導體科技的研發量能。