因AI人工智慧驅(qū)動半導(dǎo)體需求，全球晶片微影技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商艾司摩爾（ASML）今（6）日於SEMICON Taiwan 分享新一代高數(shù)值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術(shù)，並表示將協(xié)助晶片製造商簡化製造工序、提高產(chǎn)能，並降低每片晶圓生產(chǎn)的能耗。

ASML High NA EUV 產(chǎn)品管理副總裁 Greet Storms

基於全球半導(dǎo)體產(chǎn)值到2030年可望將達1兆美元，依SEMI預(yù)估AI驅(qū)動的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長，將占5成以上。為了持續(xù)使晶片微縮成本更具效益，推動摩爾定律的進展。ASML今日也分享其最新一代 High NA EUV 微影技術(shù)。

透過採用最新光學(xué)元件，將數(shù)值孔徑（numerical aperture）從0.33提升至0.55，以提供更高成像解析度；臨界尺寸（critical dimension, CD）可達到8nm，讓晶片製造商可以在同樣單位面積的晶片上，實現(xiàn)較現(xiàn)今高出2.9倍的電晶體密度；且成像對比度較上一代0.33 NA EUV提高 40%，可大幅降低成像缺陷。

ASML High NA EUV產(chǎn)品管理副總裁Greet Storms也表示，作為半導(dǎo)體生態(tài)系的一員，ASML透過持續(xù)開發(fā)最新微影技術(shù)，且與我們的合作夥伴不斷創(chuàng)新，幫助晶片製造商能夠以更具成本效益的方式量產(chǎn)尺寸更小、功能更強、更低功耗的晶片。包含透過導(dǎo)入High NA EUV，客戶將可減少量產(chǎn)邏輯和記憶體晶片的製造工序，進而顯著降低製程缺陷、成本和生產(chǎn)週期。

Greet Storms說：「High NA EUV（0.55 NA）將與現(xiàn)行的EUV（0.33 NA）在設(shè)計方面有通用性，可降低客戶的導(dǎo)入風(fēng)險和研發(fā)成本。」目前High NA EUV微影系統(tǒng)已於去年底開始陸續(xù)出貨，產(chǎn)能預(yù)計每小時可曝光超過185片晶圓，將支援2奈米以下邏輯晶片及具有相似電晶體密度的記憶體晶片量產(chǎn)。

此外，當半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)透過生產(chǎn)更快、更強大、同時又節(jié)能且價格可負擔的晶片，實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)的世界。卻也帶來相對應(yīng)的付出，例如能源消耗。ASML則不斷致力透過研發(fā)創(chuàng)新降低能源消耗，透過與客戶密切合作，在提高生產(chǎn)力的同時，減少製造每片晶圓所產(chǎn)生的能耗。根據(jù)ASML 2023年報，從2018~2023年，ASML EUV曝光每片晶圓的能耗減少了近40%；更希望到了2025年，再減少30~35%能耗。

為了讓晶片製造商用更具成本效益的方式生產(chǎn)尺寸更小、功能更強、更節(jié)能的晶片，ASML還提供全方位微影解決方案，包括微影系統(tǒng)和應(yīng)用產(chǎn)品，同時為先進製程和成熟製程客戶提供具成本效益的解決方案來支援所有應(yīng)用。

依ASML預(yù)估，客戶若在先進製程晶片製造中導(dǎo)入包括EUV和High NA EUV微影系統(tǒng)，將可簡化製程工序、減少光罩數(shù)量，提升產(chǎn)能和良率，進而降低生產(chǎn)每片晶圓的用電量。估計到了2029年，使用ASML微影技術(shù)生產(chǎn)每一片晶圓使用的100度電，將為整體製程節(jié)省200度電。