繼英特爾與三星之后，敏博(MemxPro)導入全新技術(shù)，正式發(fā)表PCIe Gen3x4高速介面之U.2 PCIe A4E系列產(chǎn)品，成為全球第三家推出U.2系列的固態(tài)硬碟制造廠商。敏博新推出的PCIe Gen3x4 SSD系列采用主控晶片大廠慧榮Silicon Motion SM2260控制器，支援NVMe傳輸控制標準，搭載美光Micron先進3D NAND架構(gòu)MLC快閃記憶體，切入伺服器與資料中心儲存裝置應用市場，目前亦推出M.2 PCIe 2280，符合專業(yè)人士、科技狂熱者與玩家的使用需求。
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| 敏博全新PCIe系列產(chǎn)品包括U.2 SSD與M.2 2280，進軍伺服器與電競筆電市場。 |
隨著SSD市場快速成長以及SATA III產(chǎn)品逐漸普及，在速度上已達到理論傳輸頻寬6.0Gb/s的上限，敏博積極開發(fā)新一代PCIe 3.0規(guī)格NVMe SSD，采用四線道高傳輸速度，理論傳輸頻寬達32Gb/s。在PCIe匯流排頻寬奧援下，速度為 SATA 6.0Gb/s機種的數(shù)倍。
此外，敏博的U.2 PCIe SSD搭配先進之3D MLC快閃記憶體，創(chuàng)新技術(shù)引領(lǐng)儲存效能與耐用度的全面提升。 3D NAND技術(shù)，采用垂直堆疊多層數(shù)據(jù)儲存單元的方式來提高NAND的容量，當3D NAND快閃記憶體單位面積容量增加，每片晶圓所能生產(chǎn)的NAND容量變大。之前的2D平面快閃記憶體，在提升速度與容量的前提下，不斷推出新制程技術(shù)加強儲存密度，目前達到1x奈米，制程微縮導致產(chǎn)品良率與抹寫周期下降，并且已達微縮瓶頸。3D NAND技術(shù)可利用既有制程，預估成本將隨之降低，并能提高快閃記憶體可靠度與耐久性。
敏博U.2 PCIe SSD系列推出的容量包含128GB、256GB及512GB，連續(xù)讀寫速度達1,454MB/s及969MB/s，隨機讀寫速度達86,500 IOPS及155,500 IOPS。 M.2 PCIe 2280符合M.2 (NGFF)之22mm(寬)x80mm(長)規(guī)范標準，其小尺寸適合有限空間的嵌入式應用，提高建置布署的彈性。 U.2 PCIe A4與M.2 PCIe A4E目前已正式量產(chǎn)。 NVMe PCIe將逐漸演變成下一世代的SSD主流介面，在不久的將來，亦會逐步擴展到物聯(lián)網(wǎng)終端與工控儲存裝置相關(guān)應用。
U.2與M.2 PCIe系列皆可選擇搭載敏博自行開發(fā)的SMARTPro智慧監(jiān)控軟體，監(jiān)看儲存裝置健康狀態(tài)、溫度、流量及生命周期等資訊，SMARTPro亦提供客制化服務，節(jié)省客戶開發(fā)時間與成本。
