<li id="wkceg"></li>
<rt id="wkceg"><delect id="wkceg"></delect></rt>
<bdo id="wkceg"></bdo>
<strike id="wkceg"><acronym id="wkceg"></acronym></strike>

  • 賬號(hào):
    密碼:
    智動(dòng)化 / 產(chǎn)品 /

    ROHM第4代1200V IGBT實(shí)現(xiàn)頂級(jí)低損耗和高短路耐受能力
    Dressing udstyr   2024年11月12日 星期二 瀏覽人次: [3471]

    近年來(lái),汽車和工業(yè)設(shè)備朝高電壓化方向發(fā)展,市場(chǎng)開(kāi)始要求安裝在車載電動(dòng)壓縮機(jī)、HV加熱器和工業(yè)設(shè)備逆變器等應(yīng)用中的功率元件支援高電壓。半導(dǎo)體制造商ROHM針對(duì)車載電動(dòng)壓縮機(jī)、HV加熱器、工業(yè)設(shè)備用逆變器等,開(kāi)發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101、1200V耐壓、實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)低損耗和高短路耐受能力的第4代IGBT。此次發(fā)售的產(chǎn)品包括TO-247-4L和TO-247N各2款Discrete封裝的產(chǎn)品「RGA80TRX2HR/ RGA80TRX2EHR/RGA80TSX2HR/RGA80TSX2EHR」和11款裸晶片產(chǎn)品「SG84xxWN」,預(yù)計(jì)未來(lái)將擴(kuò)大產(chǎn)品陣容。

    ROHM第4代1200V IGBT助力提升車載電動(dòng)壓縮機(jī)和工業(yè)設(shè)備逆變器等應(yīng)用效率;圖二為車載對(duì)應(yīng)新產(chǎn)品和市場(chǎng)競(jìng)品比較。
    ROHM第4代1200V IGBT助力提升車載電動(dòng)壓縮機(jī)和工業(yè)設(shè)備逆變器等應(yīng)用效率;圖二為車載對(duì)應(yīng)新產(chǎn)品和市場(chǎng)競(jìng)品比較。

    為了實(shí)現(xiàn)無(wú)碳社會(huì),從更節(jié)能、簡(jiǎn)化冷卻機(jī)構(gòu)、外殼小型化等角度出發(fā),也提升對(duì)功率元件的效率要求。而且車載電子產(chǎn)品還需符合車載產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)。不僅如此,在逆變器和加熱器電路中,更要求功率元件在發(fā)生短路時(shí)能夠切斷電流,需要具有更高的短路耐受能力。ROHM透過(guò)改進(jìn)元件結(jié)構(gòu),并采用合適的封裝形式,開(kāi)發(fā)出支援高電壓的第4代IGBT新產(chǎn)品。

    第4代1200V IGBT透過(guò)改進(jìn)包括周邊結(jié)構(gòu)在內(nèi)的元件結(jié)構(gòu),不僅實(shí)現(xiàn)了高達(dá)1200V的耐壓能力,并且符合車載電子產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)可靠性,更實(shí)現(xiàn)了10μsec.(Tj=25℃時(shí))的高短路耐受能力,以及低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗特性。新產(chǎn)品采用4引腳TO-247-4L封裝,透過(guò)確保引腳間的沿面距離,可在污染等級(jí)為2級(jí)的環(huán)境中支援1100V的有效電壓,能夠支援更高電壓的應(yīng)用。由於沿面距離對(duì)策實(shí)施在元件上,因此也有助減輕客戶設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)。此外TO-247-4L封裝產(chǎn)品透過(guò)增加開(kāi)爾文射極引腳,實(shí)現(xiàn)了高速開(kāi)關(guān)和更低損耗。新產(chǎn)品已投入量產(chǎn),并已開(kāi)始透過(guò)電商平臺(tái)銷售。

    相關(guān)產(chǎn)品
    ? ROHM新款SiC蕭特基二極體支援xEV系統(tǒng)高電壓需求
    ? ROHM超小型CMOS運(yùn)算放大器適用於智慧手機(jī)和小型物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用
    ? ROHM新增3款6432尺寸金屬板分流電阻PMR100系列產(chǎn)品
    ? ROHM新款零漂移運(yùn)算放大器有助工控和消費(fèi)性電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)高精度控制
    ? ROHM推出Nch MOSFET 適用工控設(shè)備電源和各類馬達(dá)驅(qū)動(dòng)
    comments powered by Disqus
      相關(guān)新聞
    » 臺(tái)科大50周年校厭,研揚(yáng)科技莊永順董事長(zhǎng)獲頒「杰出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)」并代表臺(tái)科之星創(chuàng)投公司捐贈(zèng)2,500萬(wàn)元
    » 意法半導(dǎo)體最新之 STM32C0 微控制器讓嵌入式開(kāi)發(fā)更輕松
    » SEMI:2025年全球晶圓廠設(shè)備投資破千億 晶背供電、2nm技術(shù)可??量產(chǎn)
    » Jabra建構(gòu)360度沉浸式音場(chǎng) PTC協(xié)同設(shè)計(jì)耳機(jī)融入AI降噪
    » u-blox ZED-X20P 全頻段 GNSS 接收器能以合宜價(jià)格 實(shí)現(xiàn)全球公分級(jí)定位精準(zhǔn)度,現(xiàn)已開(kāi)始送樣
      相關(guān)文章
    » 以馬達(dá)控制器ROS1驅(qū)動(dòng)程式實(shí)現(xiàn)機(jī)器人作業(yè)系統(tǒng)
    » 再生水處理促進(jìn)循環(huán)經(jīng)濟(jì)
    » SiC MOSFET:意法半導(dǎo)體克服產(chǎn)業(yè)挑戰(zhàn)的顛覆性技術(shù)
    » 超越MEMS迎接真正挑戰(zhàn) 意法半導(dǎo)體的邊緣AI永續(xù)發(fā)展策略
    » 最隹化大量低復(fù)雜度PCB測(cè)試的生產(chǎn)效率策略
    刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權(quán)聲明 隱私權(quán)聲明 本站介紹

    Copyright ©1999-2025 遠(yuǎn)播信息股份有限公司版權(quán)所有 Powered by O3
    地址:臺(tái)北數(shù)位產(chǎn)業(yè)園區(qū)(digiBlock Taipei) 103臺(tái)北市大同區(qū)承德路三段287-2號(hào)A棟204室
    電話 (02)2585-5526 #0 轉(zhuǎn)接至總機(jī) / E-Mail: webmaster@hope.com.tw
    主站蜘蛛池模板: 金阳县| 保亭| 安新县| 大兴区| 两当县| 双桥区| 沙湾县| 东乌| 阿克苏市| 台中市| 灵石县| 陕西省| 鹿泉市| 麟游县| 都昌县| 周口市| 西峡县| 分宜县| 资兴市| 论坛| 青冈县| 汕尾市| 元朗区| 克拉玛依市| 东莞市| 双城市| 西丰县| 孟村| 新晃| 凤台县| 山东| 东乡族自治县| 西昌市| 隆尧县| 会理县| 焉耆| 尤溪县| 大宁县| 古浪县| 翁牛特旗| 兰溪市|