繼英特爾與三星之后,敏博(MemxPro)導(dǎo)入全新技術(shù),正式發(fā)表PCIe Gen3x4高速介面之U.2 PCIe A4E系列產(chǎn)品,成為全球第三家推出U.2系列的固態(tài)硬碟制造廠商。敏博新推出的PCIe Gen3x4 SSD系列采用主控晶片大廠慧榮Silicon Motion SM2260控制器,支援NVMe傳輸控制標(biāo)準(zhǔn),搭載美光Micron先進(jìn)3D NAND架構(gòu)MLC快閃記憶體,切入伺服器與資料中心儲(chǔ)存裝置應(yīng)用市場(chǎng),目前亦推出M.2 PCIe 2280,符合專業(yè)人士、科技狂熱者與玩家的使用需求。
 |
敏博全新PCIe系列產(chǎn)品包括U.2 SSD與M.2 2280,進(jìn)軍伺服器與電競(jìng)筆電市場(chǎng)。 |
隨著SSD市場(chǎng)快速成長(zhǎng)以及SATA III產(chǎn)品逐漸普及,在速度上已達(dá)到理論傳輸頻寬6.0Gb/s的上限,敏博積極開發(fā)新一代PCIe 3.0規(guī)格NVMe SSD,采用四線道高傳輸速度,理論傳輸頻寬達(dá)32Gb/s。在PCIe匯流排頻寬奧援下,速度為 SATA 6.0Gb/s機(jī)種的數(shù)倍。
此外,敏博的U.2 PCIe SSD搭配先進(jìn)之3D MLC快閃記憶體,創(chuàng)新技術(shù)引領(lǐng)儲(chǔ)存效能與耐用度的全面提升。 3D NAND技術(shù),采用垂直堆疊多層數(shù)據(jù)儲(chǔ)存單元的方式來提高NAND的容量,當(dāng)3D NAND快閃記憶體單位面積容量增加,每片晶圓所能生產(chǎn)的NAND容量變大。之前的2D平面快閃記憶體,在提升速度與容量的前提下,不斷推出新制程技術(shù)加強(qiáng)儲(chǔ)存密度,目前達(dá)到1x奈米,制程微縮導(dǎo)致產(chǎn)品良率與抹寫周期下降,并且已達(dá)微縮瓶頸。3D NAND技術(shù)可利用既有制程,預(yù)估成本將隨之降低,并能提高快閃記憶體可靠度與耐久性。
敏博U.2 PCIe SSD系列推出的容量包含128GB、256GB及512GB,連續(xù)讀寫速度達(dá)1,454MB/s及969MB/s,隨機(jī)讀寫速度達(dá)86,500 IOPS及155,500 IOPS。 M.2 PCIe 2280符合M.2 (NGFF)之22mm(寬)x80mm(長(zhǎng))規(guī)范標(biāo)準(zhǔn),其小尺寸適合有限空間的嵌入式應(yīng)用,提高建置布署的彈性。 U.2 PCIe A4與M.2 PCIe A4E目前已正式量產(chǎn)。 NVMe PCIe將逐漸演變成下一世代的SSD主流介面,在不久的將來,亦會(huì)逐步擴(kuò)展到物聯(lián)網(wǎng)終端與工控儲(chǔ)存裝置相關(guān)應(yīng)用。
U.2與M.2 PCIe系列皆可選擇搭載敏博自行開發(fā)的SMARTPro智慧監(jiān)控軟體,監(jiān)看儲(chǔ)存裝置健康狀態(tài)、溫度、流量及生命周期等資訊,SMARTPro亦提供客制化服務(wù),節(jié)省客戶開發(fā)時(shí)間與成本。