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    英飛凌推出新一代80V與100V功率MOSFET 電源效率再升級(jí)
    [SmartAuto 報(bào)導(dǎo)]   2021年03月22日 星期一 瀏覽人次: [3372]

    英飛凌科技推出StrongIRFET 2新一代功率MOSFET技術(shù)的80V和100V產(chǎn)品。新產(chǎn)品擁有廣泛的經(jīng)銷供貨通路和出色的性價(jià)比,成為設(shè)計(jì)人員可以便利選購(gòu)的理想產(chǎn)品。該產(chǎn)品系列針對(duì)高、低切換頻率進(jìn)行最佳化,可支援廣泛的應(yīng)用範(fàn)圍,提供高度的設(shè)計(jì)靈活性,可受益於StrongIRFET的應(yīng)用包括SMPS、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、電池充電工具、電池管理、UPS及輕型電動(dòng)車。

    與上一代產(chǎn)品相比,英飛凌新款StrongIRFET 技術(shù)的RDS(on)  改善了40%,且Qg降低了50%以上,大幅提升了電源效率,進(jìn)而改善整體系統(tǒng)效能。
    與上一代產(chǎn)品相比,英飛凌新款StrongIRFET 技術(shù)的RDS(on) 改善了40%,且Qg降低了50%以上,大幅提升了電源效率,進(jìn)而改善整體系統(tǒng)效能。

    與上一代產(chǎn)品相比,新款StrongIRFET技術(shù)的RDS(on) 改善了40%,且Qg降低了50%以上,因此提升了電源效率,進(jìn)而改善整體系統(tǒng)效能。增加的額定電流可提供更高的電流承載能力,無須併聯(lián)多個(gè)裝置,從而降低BOM成本和電路板面積。

    採(cǎi)TO-220封裝的全新StrongIRFET 2產(chǎn)品已開放訂購(gòu)。該系列包含80V和100V的各種RDS(on) 等級(jí)。新產(chǎn)品組合將推出更多封裝,包括TO-220 FullPAK、D2PAK、D2PAK 7針腳和DPAK。

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