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    ROHM新款SiC蕭特基二極體支援xEV系統(tǒng)高電壓需求
    以獨(dú)家設(shè)計(jì)封裝提高絕緣電阻成效
    [SmartAuto 陳玨 報(bào)導(dǎo)]   2024年11月14日 星期四 瀏覽人次: [3337]

    半導(dǎo)體製造商ROHM開發(fā)出引腳間沿面距離更長、絕緣電阻更高的表面安裝型SiC蕭特基二極體(SBD)。目前產(chǎn)品陣容中已經(jīng)有適用於車載充電器(OBC)等車載應(yīng)用的「SCS2xxxNHR」8款機(jī)型。另計(jì)畫於2024 年12月再發(fā)售8款適用於FA設(shè)備和PV Inverter等工業(yè)設(shè)備的「SCS2xxxN」。

    ROHM新款SiC蕭特基二極體支援xEV系統(tǒng)高電壓需求,透過獨(dú)家封裝開發(fā)出確保最小5.1mm的沿面距離、並具有絕緣高性能,表面安裝型亦無需樹脂灌膠封裝絕緣處理。
    ROHM新款SiC蕭特基二極體支援xEV系統(tǒng)高電壓需求,透過獨(dú)家封裝開發(fā)出確保最小5.1mm的沿面距離、並具有絕緣高性能,表面安裝型亦無需樹脂灌膠封裝絕緣處理。

    近年xEV快速普及,功率半導(dǎo)體的存在不可或缺,市場上對於發(fā)熱量少、開關(guān)速度快、耐壓能力強(qiáng)的SiC SBD需求日益高漲。其中小型且可使用機(jī)器安裝的表面安裝(SMD) 封裝產(chǎn)品,因可提高應(yīng)用產(chǎn)品生產(chǎn)效率,需求更為旺盛。另一方面由於施加高電壓容易引發(fā)漏電,因此需要確保更長沿面距離的元件。ROHM透過獨(dú)家設(shè)計(jì)封裝形狀,開發(fā)出確保最小5.1mm的沿面距離、並具有絕緣高性能的SiC SBD產(chǎn)品。

    新產(chǎn)品移除以往封裝底部的中心引腳,採用獨(dú)家封裝形狀將沿面距離延長至5.1mm,透過更長的沿面距離,可以抑制引腳之間的漏電(沿面放電),因此在高電壓應(yīng)用中將元件安裝在電路板上時(shí),無需透過樹脂灌膠封裝進(jìn)行絕緣處理。

    目前有650V耐壓和1200V耐壓共兩種產(chǎn)品,不僅適用於xEV的400V系統(tǒng),還適用於預(yù)計(jì)未來會擴(kuò)大導(dǎo)入的高電壓系統(tǒng)。另外新產(chǎn)品的基板Layout與TO-263封裝的市售產(chǎn)品通用,可以直接在現(xiàn)有電路板上進(jìn)行替換。此外針對車載應(yīng)用的「SCS2xxxNHR」,更符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101。新產(chǎn)品已於2024年11月開始出售樣品,透過電商平臺銷售。

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