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    Microchip全新車載充電器解決方案 支援車輛關(guān)鍵應(yīng)用
    [SmartAuto 陳復(fù)霞 報(bào)導(dǎo)]   2024年06月11日 星期二 瀏覽人次: [4164]

    因應(yīng)節(jié)能減碳排放的迫切需求,電池電動(dòng)汽車(BEV)和插電式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(PHEV)市場持續(xù)增長。車載充電器是電動(dòng)汽車的關(guān)鍵應(yīng)用之一,將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,為汽車高壓電池充電。Microchip Technology今(11)日推出車載充電器(OBC) 解決方案,其採用精選汽車級(jí)數(shù)位、類比、連接和功率元件,包括dsPIC33C 數(shù)位訊號(hào)控制器(DSC)、MCP14C1隔離型SiC閘極驅(qū)動(dòng)器和mSiC MOSFET,採用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的D2PAK-7L XL封裝。

    Microchip新款車載充電器(OBC) 解決方案採用單一供應(yīng)商的控制、閘極驅(qū)動(dòng)和功率級(jí)等關(guān)鍵技術(shù),加快車載充電器應(yīng)用上市時(shí)間。
    Microchip新款車載充電器(OBC) 解決方案採用單一供應(yīng)商的控制、閘極驅(qū)動(dòng)和功率級(jí)等關(guān)鍵技術(shù),加快車載充電器應(yīng)用上市時(shí)間。

    該解決方案旨在利用dsPIC33 DSC的先進(jìn)控制功能、MCP14C1閘極驅(qū)動(dòng)器的高壓強(qiáng)化隔離和強(qiáng)大的抗噪能力,以及mSiC MOSFET的低開關(guān)損耗和優(yōu)化的散熱管理能力,提高 OBC系統(tǒng)的效率和可靠性。為了進(jìn)一步簡化客戶的供應(yīng)鏈,Microchip提供支援OBC其他功能的關(guān)鍵技術(shù),包括通訊介面、安全性、感測器、記憶體和時(shí)脈。

    為了加快系統(tǒng)開發(fā)和測試,Microchip提供靈活的可程式設(shè)計(jì)解決方案,其中包括功率因數(shù)校正 (PFC)、DC-DC轉(zhuǎn)換、通訊和診斷演算法等隨時(shí)可用的軟體模組。dsPIC33 DSC中的軟體模組旨在優(yōu)化效能、效率和可靠性,同時(shí)提供個(gè)別OEM需求客製化的靈活性。

    Microchip數(shù)位訊號(hào)控制器業(yè)務(wù)部副總裁Joe Thomsen表示:「Microchip成立E-Mobility(智慧移動(dòng))大趨勢團(tuán)隊(duì),配備專屬資源以支援這一不斷增長的市場。除了為OBC提供控制、閘極驅(qū)動(dòng)和功率級(jí)技術(shù)外,還能夠?yàn)榭蛻籼峁┻B接、時(shí)脈、感測器、記憶體和安全解決方案?!筂icrochip提供給OEM和一級(jí)供應(yīng)商全面的解決方案來簡化開發(fā)流程,包括汽車合格產(chǎn)品、參考設(shè)計(jì)、軟體和全球技術(shù)支援。

    dsPIC33C DSC為一款A(yù)UTOSAR就緒型元件,可由MPLAB開發(fā)生態(tài)系統(tǒng)(包括MPLAB PowerSmart 開發(fā)套件)支援開發(fā)。OBC解決方案的主要組件,包括dsPIC33C DSC、MCP14C1隔離型SiC閘極驅(qū)動(dòng)器和採用D2PAK-7L XL封裝的mSiC MOSFET,現(xiàn)已上市。

    產(chǎn)品特色

    ? dsPIC33C DSC 已通過AEC-Q100 認(rèn)證,具有高效能DSP核心、高解析度脈寬調(diào)變 (PWM)模組和高速類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器(ADC),是功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的最佳選擇。該產(chǎn)品符合功能安全要求,並支援 AUTOSAR生態(tài)系統(tǒng)。

    ? MCP14C1 隔離式SiC閘極驅(qū)動(dòng)器通過AEC-Q100 認(rèn)證,採用支援增強(qiáng)隔離的 SOIC-8 寬體封裝和支援基本隔離的SOIC-8窄體封裝。MCP14C1 與dsPIC33 DSC相容,經(jīng)過優(yōu)化,可透過欠壓鎖定(UVLO)驅(qū)動(dòng)mSiC MOSFET,適用於 VGS = 18V 閘極驅(qū)動(dòng)分路輸出端子,進(jìn)而簡化部署過程,無需外部二極體。利用電容隔離技術(shù)實(shí)現(xiàn)電隔離,具有強(qiáng)大的抗噪能力和較高的共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)。

    ? mSiC MOSFET採用符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的D2PAK-7L XL表面貼裝封裝,包括五個(gè)並聯(lián)源極檢測引線,可降低開關(guān)損耗、提高電流能力並降低電感。該元件支援400V和800V電池電壓。

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